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高頻感應熱等離子體在微細球形粉體材料制備中的應用-《高電壓

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30KW高頻等離子體感應加熱設備及等離子體發生器--中國科學院

30KW高頻等(deng)離子體(ti)感應加熱設備及等(deng)離子體(ti)發(fa)生(sheng)器獲獎(jiang)名稱英文:30KWHighFrequencyPlasmaInducedHeaterandPlasmaGenerator授獎(jiang)部門:中國科學院。

用于高頻等離子體發生器的高頻電源-《微細加工技術》1985年01期

高頻(pin)電(dian)源(yuan)高頻(pin)等離子體(ti)匹(pi)配網(wang)絡等離子體(ti)發生器負偏壓諧振阻(zu)抗輸出功率(lv)板(ban)極阻(zu)抗匹(pi)配駐波比。

高頻感應耦合熱等離子體發生器的完整的二維數值模擬-《中國科學(

摘要:迄今為(wei)止,所有有關高(gao)頻(pin)感應耦合熱等離子體發生器的(de)數值(zhi)模(mo)擬均以一維(wei)(wei)電磁場為(wei)基礎。本文提出了包括(kuo)二維(wei)(wei)電磁場的(de)完整而又自洽的(de)二維(wei)(wei)數值(zhi)模(mo)擬方法。典(dian)型的(de)數值(zhi)。

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成都納(na)米(mi)粉(fen)體設備有限公司(si)專(zhuan)門(men)設計制(zhi)作“GUV2000高(gao)頻等離子體氣相法”制(zhi)備納(na)米(mi)粉(fen)體設備的公司(si),目前,該(gai)GUV2000納(na)米(mi)設備已廣泛用(yong)于電子、化工、醫藥等行業,在國內的廣東(dong)。

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高頻等離(li)(li)(li)子體(ti)發生(sheng)器(qi)radio-frequencyplasmatorch等離(li)(li)(li)子體(ti)是電離(li)(li)(li)的氣態(tai)物質(zhi),是離(li)(li)(li)子體(ti)。例如不是H2而是H++e。分(fen)類通常(chang)等離(li)(li)(li)子體(ti)發生(sheng)器(qi)可分(fen)為兩類:(1)高頻。

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電(dian)感耦合高頻(pin)等離(li)子(zi)(zi)(zi)體光(guang)源電(dian)感耦合高頻(pin)等離(li)子(zi)(zi)(zi)光(guang)源(ICP)是本世紀60年代出現的(de)一(yi)種新型的(de)光(guang)譜激發光(guang)源。等離(li)子(zi)(zi)(zi)。

高頻等離子體發生器-學術百科-知網空間

[圖文]電感耦(ou)合高頻等(deng)離子(zi)體(ICP)是二十世(shi)紀(ji)60年代提出(chu),70年代獲得迅(xun)速發(fa)展(zhan)的一種新型但它的霧化效率較低(di),設備貴。等(deng)離子(zi)體光源(yuan)除(chu)電感耦(ou)合高頻等(deng)離子(zi)體外(wai),還有直流。

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電感耦合高頻等離子體光源簡介_ICP光譜_光譜_儀器論壇

高(gao)頻熱等(deng)(deng)離子發生(sheng)器所(suo)產生(sheng)的溫度(du)約1000K的熱等(deng)(deng)離子體(ti)(ti),已廣泛用于高(gao)技術(shu)陶(tao)瓷、超導體(ti)(ti)與金剛石粉(fen)或膜(mo)的制備等(deng)(deng)許(xu)多方面,高(gao)頻等(deng)(deng)離子體(ti)(ti)發生(sheng)器中(zhong)電離氣體(ti)(ti)的流動與傳熱和。

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1.3.1.4高頻(pin)感應加熱法(fa)161.3.1.5等(deng)離子(zi)體法(fa)16-171.3.1.67朱協(xie)彬;段學臣;;超聲(sheng)電(dian)解(jie)法(fa)制備納米銅粉[A];2003年全國(guo)粉體設(she)備—技術—。

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電感耦合(he)高(gao)頻放電等離子體特性測試,楊孝龍黃運添(tian);-西(xi)北大學學報(自(zi)然科學版(ban))1998年第(di)04期(qi)在線閱(yue)讀、文章下載。<正;Langmuir探(tan)針(zhen)是等離子體診斷中常用的工具(ju)之。

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本發明涉及(ji)一種采用高(gao)(gao)頻等離子(zi)體(ti)制(zhi)備高(gao)(gao)純超細(xi)硼(peng)化鋯粉體(ti)的方(fang)法。高(gao)(gao)頻等離子(zi)體(ti)弧提供(gong)的超高(gao)(gao)溫熱源為合成反(fan)應提供(gong)了足夠高(gao)(gao)的溫度(du)和能量(liang),高(gao)(gao)頻等離子(zi)體(ti)無電極加熱特性保證。

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1.8電感耦合高(gao)頻(pin)等離(li)子體-原子發射光譜法21-221.9土壤重金屬污染分析中(zhong)樣品采集和前處理22-23參考文獻23-30章(zhang)本論文研究的(de)目的(de)、對象及實施。

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2011年(nian)12月20日(ri)-電感耦合高(gao)頻等離子(zi)體原子(zi)發射光譜法(ICP-AES)特點發稿(gao)時間:2012-12-2019:04:12作(zuo)者:主題詞:。

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2006年3月(yue)17日-項(xiang)(xiang)目名稱(cheng)(cheng):高頻(pin)等(deng)(deng)離(li)子體(ti)放電無(wu)極燈(deng)生產項(xiang)(xiang)目項(xiang)(xiang)目背景:高頻(pin)等(deng)(deng)離(li)子體(ti)放電無(wu)極燈(deng),簡稱(cheng)(cheng)高頻(pin)無(wu)極燈(deng)。是(shi)由中國科學(xue)(xue)院(yuan)光學(xue)(xue)和(he)精密儀器(qi)研究(jiu)所綜(zong)合應用功(gong)率。

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分析(xi)測試百科(ke)網(wang),本方(fang)法(fa)規定(ding)了用電感耦合(he)高(gao)頻(pin)(pin)等離子體原子發射光譜法(fa)測定(ding)普通化學試劑和高(gao)純化學試劑中金屬(shu)以及非金屬(shu)雜質的方(fang)法(fa)。本方(fang)法(fa)適用于采(cai)用低功率電感耦合(he)高(gao)頻(pin)(pin)。

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電感耦合高頻等離子體-《蘇州大學》2008年碩士論文

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