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ULSI硅襯底化學機械研磨技術研究StudyofCMPLappingTechnique
硅(gui)(gui)錳(meng)(meng)冶(ye)(ye)煉(lian)渣(zha)簡稱(cheng)硅(gui)(gui)錳(meng)(meng)渣(zha),是冶(ye)(ye)煉(lian)硅(gui)(gui)錳(meng)(meng)合金的過程中(zhong)產(chan)生的固體廢渣(zha),由于冶(ye)(ye)煉(lian)工藝(yi)的限制,硅(gui)(gui)錳(meng)(meng)冶(ye)(ye)煉(lian)渣(zha)中(zhong)含(han)有一定(ding)量的硅(gui)(gui)錳(meng)(meng)合金,尤其(qi)是硅(gui)(gui)錳(meng)(meng)干渣(zha),其(qi)中(zhong)的硅(gui)(gui)錳(meng)(meng)合金含(han)量較(jiao)高,。
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論(lun)文(wen)天下提供的<八英(ying)寸銅化(hua)學(xue)機械研(yan)磨(mo)工(gong)藝(yi)對硅片腐(fu)蝕(shi)的改善;論(lun)文(wen)包括Cu-CMP腐(fu)蝕(shi)缺陷(xian)研(yan)磨(mo)頭研(yan)磨(mo)盤等其他相關(guan)內容(rong)論(lun)文(wen)。
金屬硅生產線,金屬硅顆粒磨粉設備生產工藝流程-恒宇機械的
在(zai)對(dui)單晶硅片進行化學(xue)機(ji)械研磨的過程中,通過改(gai)變化學(xue)機(ji)械研磨的一些(xie)重要(yao)工(gong)藝參數(用于超精密硅晶片表(biao)面的化學(xue)機(ji)械拋光(CMP)技術研究[J].潤滑與密封,2006,31。
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八英寸銅化學機械研磨工藝對硅片腐蝕的改善-收費碩士博士論文-
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化學機械研磨對硅片表面Haze值的影響-豆丁網
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長石砂巖研磨機械工藝流程-KVOV信息發布網
本技術揭示的在化(hua)學機械拋光工藝中確定(ding)研磨時間的方法093半導(dao)體硅晶(jing)片水(shui)基(ji)研磨液(ye)053安(an)全閥(fa)門研磨機044031氣力分(fen)級(ji)分(fen)離的粉碎或研磨工藝流程039一種高(gao)。
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《機械工(gong)藝師》1995年08期加入收藏(zang)獲取高精度氣壓燒結氮化硅(gui)陶瓷(ci)球的(de)4秦展田(tian);陶瓷(ci)球研磨加工(gong)過程的(de)狀態監測[D];天津大(da)學;2007年5許秦;硬質。
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高精度氣壓燒結氮化硅陶瓷球的研磨技術-《機械工藝師》1995年08期
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2013年3月(yue)22日(ri)-化學機(ji)械拋(pao)(pao)光(guang)(guang)過程使用安裝(zhuang)在(zai)剛(gang)性拋(pao)(pao)光(guang)(guang)平盤(pan)上的柔性拋(pao)(pao)光(guang)(guang)墊,硅片被壓在(zai)拋(pao)(pao)光(guang)(guang)目前常用的拋(pao)(pao)光(guang)(guang)方法有以(yi)下幾(ji)種氧化鋅(xin)材料(liao)的切割、研磨、拋(pao)(pao)光(guang)(guang)工(gong)藝(研磨膏。
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本發明公開了一(yi)種化(hua)學(xue)機械研(yan)磨工(gong)藝(yi)的優(you)化(hua)方(fang)法,該方(fang)法包括:A、提供一(yi)實驗樣品,并按照(zhao)當前的化(hua)學(xue)機械研(yan)磨CMP工(gong)藝(yi)參數對實驗樣品進行CMP工(gong)藝(yi)后,采(cai)用等(deng)離(li)子體(ti)增(zeng)強化(hua)學(xue)氣相。
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