SiC晶片的加工工程_百度知道
SiC單晶(jing)材料的硬度及脆性大,且(qie)化(hua)學穩定性好,故(gu)如何獲(huo)得高平面(mian)精度的無(wu)損傷晶(jing)片(pian)表(biao)面(mian)已成為其廣泛應用所必須解決的重(zhong)要問題(ti)。本論文采(cai)用定向切割晶(jing)片(pian)的方法(fa),分別研究了。
SiC晶片加工工藝及其對晶片表面的損傷-中國論文下載_上學吧
摘要(yao):SiC單(dan)晶的(de)材質(zhi)既硬且脆(cui),加(jia)(jia)工難度(du)很大。本文介(jie)紹了(le)加(jia)(jia)工SiC單(dan)晶的(de)主要(yao)方(fang)法,闡述(shu)了(le)其加(jia)(jia)工原理、主要(yao)工藝參數對加(jia)(jia)工精度(du)及效率的(de)影響,提出了(le)加(jia)(jia)工SiC單(dan)晶片今后。
SiC單晶片加工技術的發展_百度文庫
SiC機械密封(feng)環表面微織構激光加工(gong)工(gong)藝(yi)(yi)符永宏(hong)祖權紀敬虎楊東燕符昊摘(zhai)要:采用聲光調(diao)Q二極管(guan)泵(beng)浦Nd:YAG激光器,利用"單脈(mo)沖(chong)同點間隔(ge)多(duo)次"激光加工(gong)工(gong)藝(yi)(yi),。
俺的SIC-R-WildChalice狂野卡里斯
由于SiC硬度非常高,對(dui)單晶后續的加(jia)工造成很多困難,包(bao)括(kuo)切割和磨拋.研究(jiu)發現利用(yong)圖中顏(yan)色(se)較深的是(shi)摻氮條紋(wen),晶體(ti)生長45h.從上述移動坩堝萬方數據812半導體(ti)。
SiC單晶片加工技術的發展-《新技術新工藝》2009年06期
摘要(yao):SiC陶瓷(ci)以其優異的性能得到廣泛的應用(yong),但是其難以加(jia)工的缺(que)點限制(zhi)了(le)(le)應用(yong)范圍。本文對磨削方法加(jia)工SiC陶瓷(ci)的工藝參數進行了(le)(le)探討(tao),其工藝參數為組合(he):粒度w40#。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-《排灌機械工程學報》2012
2013年10月24日(ri)-LED半導體照明網訊(xun)日(ri)本上(shang)市公(gong)司薩姆(mu)肯(Samco)發布(bu)了新(xin)型晶(jing)片(pian)盒(he)生產(chan)蝕刻系(xi)統,處理(li)SiC加工,型號為RIE-600iPC。系(xi)統主要(yao)應用(yong)在碳(tan)化硅(gui)功(gong)率儀器(qi)平面加工。
SiC單晶生長及其晶片加工技術的進展-豆丁網
2013年10月24日(ri)-日(ri)本上市公(gong)司薩(sa)姆肯(Samco)發(fa)布了新型(xing)晶片盒生產(chan)蝕刻(ke)系(xi)統(tong),處理(li)SiC加工,型(xing)號為RIE-600iPC。系(xi)統(tong)主要應用在(zai)碳化硅功率儀器平面(mian)加工、SiCMOS結構槽刻(ke)。
SiC單晶生長及其晶片加工技術的進展-CrystalGrowthandRaw
金剛石線(xian)鋸SiC表面裂紋加工質(zhi)量摘要:SiC是第三代半導體材料的核心之一,廣泛用于制作電子(zi)器件,其加工質(zhi)量和(he)精度直接影響到器件的性(xing)能。SiC晶(jing)體硬度高,。
SiC從外表顏色如何區分其SiC含量的高低-已解決-搜搜問問
采(cai)用(yong)聲光(guang)調Q二極管泵(beng)浦Nd:YAG激(ji)光(guang)器,利用(yong)“單脈(mo)沖(chong)同點間隔(ge)多次”激(ji)光(guang)加工工藝(yi),對碳化硅機械密封(feng)試(shi)樣端面進行激(ji)光(guang)表面微織構(gou)的加工工藝(yi)試(shi)驗(yan)研究.采(cai)用(yong)Wyko-NTll00表面。
SiC陶瓷的磨削加工工藝研究—《教育科學博覽》—2011年第12期—
共找到2754條(tiao)符(fu)合-SiC的(de)(de)查(cha)詢結果。您可以在阿里巴巴公司黃(huang)頁搜(sou)索到關于-SiC生(sheng)產商(shang)的(de)(de)工(gong)商(shang)注冊年(nian)份、員工(gong)人數、年(nian)營(ying)業額、信用(yong)記(ji)錄、相關-SiC產品的(de)(de)供求信息、交易記(ji)錄。
日本薩姆肯公司推出新型SiC加工處理生產刻蝕系統
中國供應(ying)商免費(fei)提供各類sic碳(tan)化硅(gui)批發,sic碳(tan)化硅(gui)價(jia)格,sic碳(tan)化硅(gui)廠家信(xin)息,您也可以在(zai)這里免費(fei)展(zhan)示銷售(shou)sic碳(tan)化硅(gui),更(geng)有機會通過各類行(xing)業展(zhan)會展(zhan)示給(gei)需求方(fang)!sic碳(tan)化硅(gui)商機盡在(zai)。
日本薩姆肯公司推出新型SiC加工處理生產刻蝕系統-企業新聞-首頁
金剛石(shi)多線切割(ge)設備在SiC晶片加工中(zhong)的(de)應用ApplicationofMuti-DiamondWireSawtoSliceSiCCrystal查看全(quan)文下載全(quan)文導(dao)出添加到引用通知分享到。
金剛石線鋸切割SiC的加工質量研究-《山東大學》2010年碩士論文
[圖文]2011年3月17日-SiC陶(tao)瓷與鎳基高溫合金的(de)熱(re)壓反應燒結連(lian)接段輝(hui)平李(li)樹杰張(zhang)永剛劉(liu)深(shen)張(zhang)艷黨紫九劉(liu)登科摘要:采用Ti-Ni-Al金屬復合焊料粉末(mo),利用Gleeble。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-維普網-倉儲式在線作品
PCD刀具加工(gong)SiC顆(ke)粒增強鋁基復(fu)合材料的(de)(de)公道切削速度(du)〔摘要〕通(tong)過用掃描電鏡等(deng)方式檢測PCD刀具的(de)(de)性(xing)能,并與自然金剛(gang)石(shi)的(de)(de)相關(guan)參數進行比較,闡明(ming)了(le)PCD刀具的(de)(de)優(you)異性(xing)能。
-SiC公司_-SiC廠家_公司黃頁-阿里巴巴
石(shi)墨(mo)SiC/Al復合材料壓力(li)浸(jin)滲力(li)學性(xing)能加(jia)工性(xing)能關(guan)鍵(jian)詞(ci):石(shi)墨(mo)SiC/Al復合材料壓力(li)浸(jin)滲力(li)學性(xing)能加(jia)工性(xing)能分類(lei)號:TB331正文快照:0前言siC/。
sic碳化硅批發_sic碳化硅價格_sic碳化硅廠家其他磨具-中國供應商
[圖文]2012年11月29日-為了研(yan)究(jiu)磨(mo)(mo)削工(gong)藝參數對SiC材料磨(mo)(mo)削質量(liang)的影響規律(lv),利用DMG銑磨(mo)(mo)加工(gong)做了SiC陶瓷平面磨(mo)(mo)削工(gong)藝實(shi)驗,分析(xi)研(yan)究(jiu)了包括(kuo)主軸(zhou)轉速(su)、磨(mo)(mo)削深度、進給速(su)度在內的。
金剛石多線切割設備在SiC晶片加工中的應用ApplicationofMuti-
研究(jiu)方向:微(wei)(wei)(wei)納(na)設(she)計(ji)與加(jia)(jia)工(gong)技(ji)術(shu)(shu)、SiCMEMS技(ji)術(shu)(shu)、微(wei)(wei)(wei)能源技(ji)術(shu)(shu)微(wei)(wei)(wei)納(na)設(she)計(ji)與加(jia)(jia)工(gong)技(ji)術(shu)(shu)微(wei)(wei)(wei)納(na)米加(jia)(jia)工(gong)技(ji)術(shu)(shu):利(li)用深刻蝕加(jia)(jia)工(gong)技(ji)術(shu)(shu),開發(fa)出適合于大(da)規模加(jia)(jia)工(gong)的高精度微(wei)(wei)(wei)納(na)復合結。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-大眾科技-道客巴巴
[圖文]SiC晶體(ti)生長和(he)加工SiC是重要的寬(kuan)禁帶半導(dao)體(ti),具有高(gao)(gao)熱導(dao)率、高(gao)(gao)擊(ji)穿場強等(deng)特性和(he)優勢,是制作高(gao)(gao)溫(wen)、高(gao)(gao)頻、大功率、高(gao)(gao)壓以及(ji)抗(kang)輻射電子器件的理(li)想材料,在軍(jun)工、航天。
SiC是什么材料SiC是一種什么材料啊,他的加工性能怎樣樣?可以鉆孔
介簡單地介紹了(le)發光二極管的發展(zhan)歷程,概述了(le)LED用(yong)SiC襯底的超精(jing)密(mi)研磨(mo)技術的現狀及(ji)發展(zhan)趨勢,闡述了(le)研磨(mo)技術的原(yuan)理、應(ying)用(yong)和優勢。同(tong)時結合實驗室X61930B2M-6型(xing)。
SiC陶瓷與鎳基高溫合金的熱壓反應燒結連接-加工工藝-機電之家網
2012年6月6日-磨料是用于磨削加工和制做磨具的(de)一種(zhong)基礎材料,普通磨料種(zhong)類主(zhu)要有(you)剛玉和1891年美國(guo)卡不倫(lun)登公司的(de)E.G艾奇遜用電(dian)阻(zu)爐人工合(he)成并發明SiC。1893年。
PCD刀具加工SiC顆粒增強鋁基復合材料的公道切削速度_中國百科網
攪拌摩擦加工SiC復合(he)(he)層(ceng)對(dui)鎂(mei)合(he)(he)金摩擦磨損性能的影(ying)響(xiang)分(fen)享到(dao):分(fen)享到(dao)QQ空間收藏推薦(jian)鎂(mei)合(he)(he)金是目前輕的金屬結構(gou)材(cai)料,具有密度(du)低、比(bi)強度(du)和比(bi)剛(gang)度(du)高(gao)、阻(zu)尼減震性。
易加工儀表級SiC/Al復合材料的性能研究-《第十五屆全國復合材料
綜述了(le)半導體(ti)材料(liao)SiC拋(pao)光技術的(de)發(fa)展,介紹了(le)SiC單晶片CMP技術的(de)研究現狀,分析(xi)了(le)CMP的(de)原理和工藝參數對(dui)拋(pao)光的(de)影(ying)響,指出(chu)了(le)SiC單晶片CMP急待(dai)解決(jue)的(de)技術和理論問題,并對(dui)其。
SiC陶瓷非球面磨削工藝實驗研究-中國磨料磨具網|磨料磨具協會
2005年在國內(nei)率先完成1.3m深(shen)焦比輕(qing)質非(fei)球(qiu)面(mian)反射鏡的(de)研究工(gong)作,減重比達(da)到(dao)65%,加工(gong)精度(du)優于17nmRMS;2007年研制成功1.1m傳輸型詳查相(xiang)機SiC材料離軸非(fei)球(qiu)面(mian)主鏡,加工(gong)。
北京大學微電子學研究院
2013年2月21日-近日,三菱電(dian)機(ji)宣布,開發出了能夠一(yi)次(ci)將一(yi)塊(kuai)多(duo)(duo)晶碳化硅(gui)(SiC)錠切割成40片SiC晶片的(de)多(duo)(duo)點放電(dian)線切割技(ji)術。據悉,該(gai)技(ji)術有(you)望提高SiC晶片加工的(de)生產效率,。
SiC晶體生長和加工
加工圓孔孔徑范圍:200微米(mi)—1500微米(mi);孔徑精度:≤2%孔徑;深寬/孔徑比:≥20:1(3)飛(fei)秒激光數控(kong)機床(chuang)的(de)微孔加工工藝(yi):解決(jue)戰略型CMC-SiC耐(nai)高溫(wen)材料微孔(直(zhi)徑1mm。
LED用SiC襯底的超精密研磨技術現狀與發展趨勢Situationand
衛輝市(shi)車船(chuan)機(ji)電有限公司(si)(si)(si)csic衛輝市(shi)車船(chuan)機(ji)電有限公司(si)(si)(si)是(shi)(shi)中國船(chuan)舶重(zhong)工(gong)集(ji)團(tuan)公司(si)(si)(si)聯營是(shi)(shi)否提供加(jia)工(gong)/定制服(fu)務:是(shi)(shi)公司(si)(si)(si)成立時間:1998年(nian)公司(si)(si)(si)注冊地(di):河南/。
關于磨料用途與深加工方面的分析和探討-磨料用途,棕剛玉,碳化硅-
[圖文]激(ji)(ji)光(guang)加工(gong)激(ji)(ji)光(guang)熔(rong)覆(fu)陶瓷涂(tu)層(ceng)耐腐蝕性極化曲(qu)線(xian)(xian)關鍵字:激(ji)(ji)光(guang)加工(gong)激(ji)(ji)光(guang)熔(rong)覆(fu)陶瓷涂(tu)層(ceng)耐腐蝕性極化曲(qu)線(xian)(xian)采用(yong)激(ji)(ji)光(guang)熔(rong)覆(fu)技術,在45鋼表面對含量不同的SiC(質量。
攪拌摩擦加工SiC復合層對鎂合金摩擦磨損性能的影響-《熱加工工藝
●自行研發(fa)了(le)(le)SiC晶片加工工藝:選取適當種類、粒度(du)、級配(pei)的(de)磨料和加工設備來(lai)切割、研磨、拋光(guang)、清洗和封裝的(de)工藝,使產品達(da)到了(le)(le)“即開即用(yong)”的(de)水準(zhun)。圖7:SiC晶片。
SiC單晶片CMP超精密加工技術現狀與趨勢Situationand
離(li)軸非球(qiu)面SiC反射鏡的精密(mi)銑磨加工技(ji)術,張(zhang)(zhang)志宇;李銳鋼;鄭立功;張(zhang)(zhang)學(xue)軍(jun);-機械工程學(xue)報2013年第(di)17期在線閱讀、文章下載。<正(zheng);0前(qian)言1環繞地(di)球(qiu)軌道運行的空間。
高精度非球面組件先進制造技術--中國科學院光學系統先進制造
2011年10月25日-加工電(dian)流非(fei)常(chang)小,Ie=1A,加工電(dian)壓(ya)為170V時,SiC是(shi)加工的,當Ti=500μs時,Vw=0.6mm3/min。另外,Iwanek還得出了“臨界電(dian)火花加工限制”。
三菱電機研制出多點放電線切割機-中國工業電器網
經(jing)營范圍:陶(tao)瓷(ci)(ci)軸(zhou)(zhou)承;陶(tao)瓷(ci)(ci)噴(pen)嘴(zui);sic密封(feng)件;陶(tao)瓷(ci)(ci)球;sic軸(zhou)(zhou)套;陶(tao)瓷(ci)(ci)生產加(jia)工機(ji)械(xie);軸(zhou)(zhou)承;機(ji)械(xie)零(ling)部件加(jia)工;密封(feng)件;陶(tao)瓷(ci)(ci)加(jia)工;噴(pen)嘴(zui);噴(pen)頭;行業(ye)類別:計算機(ji)產品。
“數控機床與基礎制造裝備”科技重大專項2013年度課題申報
因此,本文對IAD-Si膜層(ceng)的微觀(guan)結(jie)構、表(biao)面形貌及抗熱振蕩性能(neng)進行了研(yan)究,這不僅對IAD-Si表(biao)面加(jia)工具有指導意義,也(ye)能(neng)進一(yi)步證明RB-SiC反(fan)射鏡表(biao)面IAD-Si改(gai)性技術(shu)的。