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有研究者以Al2O3為添加劑,通過熱(re)壓(ya)燒結工藝,也實現(xian)了碳化硅的致密化,并認為其機理是液相燒結。此外,還有研究者分別以B4C、B或(huo)B與C,Al2O3和C、Al2O3和Y2O3。
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2008年(nian)12月(yue)29日-西(xi)安理工(gong)大學承擔的陜西(xi)重大科技(ji)創新項目“大直(zhi)徑碳(tan)化硅晶體生長(chang)工(gong)藝及(ji)設備(2005ZKC05-02)”于2008年(nian)12月(yue)24日通過驗收。由陜西(xi)省(sheng)科學技(ji)術廳(ting)會同省(sheng)。
碳化硅晶體生長工藝工程師,北京七星華創電子股份有限公司前程
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碳(tan)化(hua)硅(gui)及(ji)碳(tan)化(hua)硅(gui)制品生產新工藝新技術與新設備選用質量,篇(pian)碳(tan)化(hua)硅(gui)生產原料章脈石(shi)英章石(shi)英砂第三章石(shi)油(you)焦第四章其他材料篇(pian)碳(tan)化(hua)硅(gui)結構(gou)及(ji)性能第。
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2006年(nian)7月6日-西安理工(gong)大學電(dian)子工(gong)程系陳治明教授承擔的陜西省重(zhong)大科技創新項(xiang)目(mu)“大直徑(jing)碳化硅晶體生長(chang)工(gong)藝及設(she)備”進展順(shun)利,目(mu)前已用(yong)該課題(ti)組自(zi)行研(yan)制、具(ju)有自(zi)主知(zhi)識產權(quan)。
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陜西重大科技創新項目“大直徑碳化硅晶體生長工藝及設備”通過驗收
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碳(tan)化(hua)硅(gui)微(wei)(wei)粉1200-1500號主(zhu)要用來太陽能單晶硅(gui)片的切(qie)割介質,但是碳(tan)化(hua)硅(gui)微(wei)(wei)粉加(jia)工設備,始終(zhong)存在一些(xie)不(bu)可攻克的難題,例如(ru)高(gao)磨損,高(gao)噪(zao)音等,目前市(shi)場上碳(tan)化(hua)硅(gui)微(wei)(wei)粉加(jia)工設備主(zhu)要。
碳化硅及碳化硅制品生產新工藝新技術與新設備選用質量-海淀圖書
馬(ma)可波(bo)羅(luo)網(makepolo.)提供英才圖(tu)書文化傳(chuan)播有限公(gong)司相(xiang)關企(qi)業(ye)介紹及(ji)(ji)產品(pin)信息主要以碳(tan)化硅及(ji)(ji)碳(tan)化硅制(zhi)品(pin)生產新工(gong)藝新技術(shu)與新設備選用(yong)質(zhi)量驗收標準為主,還包(bao)括了(le)碳(tan)化硅。
碳化硅生產工藝中主要產生哪些污染物?如何防治污染?-已解決-
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陜西省重大科技創新項目:我校“大直徑碳化硅晶體生長工藝及設備”
[摘要]一種(zhong)制(zhi)造(zao)單(dan)晶碳化(hua)硅(gui)薄(bo)膜的設備,包(bao)括適于(yu)接受成膜用的SOI基材100的成膜利用本發明的方法制(zhi)備碳化(hua)硅(gui)納米棒,其(qi)工藝實施簡(jian)單(dan)、易于(yu)大批(pi)量生產、制(zhi)備溫度低。
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鄭州(zhou)新華爐料(liao)科(ke)技有(you)限公司(si)是國內專業(ye)的爐料(liao)、磨料(liao)生產廠家,我司(si)擁有(you)專業(ye)的增碳(tan)劑(ji)、碳(tan)化(hua)硅、合金球、脫氧劑(ji)、碳(tan)化(hua)硅微粉(fen)、孕育劑(ji)等爐料(liao)磨料(liao)生產線,技術,服務保障。
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碳化硅微粉生(sheng)產工藝(yi)流程、碳化硅微粉設備(bei)生(sheng)產廠家,碳化硅微粉1200-1500號(hao)主(zhu)要(yao)用來(lai)太陽(yang)能單(dan)晶硅片的切割介質,但(dan)是(shi)碳化硅微粉加工設備(bei),始(shi)終存(cun)在一些(xie)不可攻(gong)克的難題,例如高。
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2011年6月(yue)14日(ri)-適合于采用“新料法”生產工藝冶煉(lian)碳(tan)化硅。但是(shi),太西煤灰分較(jiao)高,一般在57、選用低“鐵(tie)污染”破碎設備進行加工碳(tan)化硅作(zuo)為產品銷售時,要對碳(tan)化硅。