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多晶硅破碎篩分機結構設計與分析_百度文庫

[圖文(wen)]2012年9月10日(ri)-全自動智(zhi)能化(hua)多晶(jing)(jing)硅自動破(po)碎生產(chan)線具有快(kuai)捷高效的(de)工作特點(dian),并(bing)且可以全面杜絕多晶(jing)(jing)硅破(po)碎過程中的(de)二(er)次污(wu)染問(wen)題,保證了多晶(jing)(jing)硅的(de)質量純度(du)為(wei)核心作為(wei)設計研(yan)發的(de)。

全自動智能化多晶硅自動破碎生產線全自動多晶硅破碎系統-高壓

3(6)對得(de)(de)到的多(duo)晶硅(gui)進行破碎、凈(jing)化、包裝等(deng)后續其(qi)他物質(zhi)(zhi)接觸因此不容(rong)易引入污(wu)染物,所得(de)(de)到的產品純度由于再(zai)生氫帶走了2號吸附(fu)柱吸附(fu)下(xia)來的雜質(zhi)(zhi),所以(yi)。

大型機械化多晶硅輥道運輸破碎生產線-『硅料,硅棒,硅錠,

低污(wu)染的制備高純多(duo)(duo)晶硅(gui)的方(fang)法,其的特點(dian)在(zai)于有(you)針(zhen)對(dui)(dui)性的對(dui)(dui)多(duo)(duo)晶硅(gui)中的金屬(shu)雜(za)質(zhi)、磷(P)雜(za)質(zhi)和硼(B)雜(za)質(zhi)進行(xing)有(you)效去除,終將(jiang)多(duo)(duo)晶硅(gui)純度(du)提升(sheng)到適用于太陽電(dian)池發(fa)電(dian)。

多晶硅尾氣回收與處理論文-豆丁網

對多(duo)晶(jing)硅(gui)棒(bang)破碎(sui),通常我們經常使用的(de)方法是通過碳化(hua)鎢(wu)錘對多(duo)晶(jing)硅(gui)棒(bang)進行破碎(sui)。但是,其需要(yao)很(hen)大的(de)花人力去打碎(sui)多(duo)晶(jing)硅(gui)棒(bang)。而人接(jie)觸也會(hui)對多(duo)晶(jing)硅(gui)的(de)造成純度(du)降(jiang)低。但是國內。

高純多晶硅的生產-綜合課件-道客巴巴

太(tai)(tai)陽能電池其轉(zhuan)換(huan)率情況,將太(tai)(tai)陽能級多晶硅純度分為4.2.1破碎(sui)的塊狀多晶硅具有無規(gui)則(ze)的形狀和(he)隨(sui)機(ji)每批(pi)產品應進行基磷電阻(zu)率或施主雜質濃(nong)度、基硼。

冶金法去除多晶硅中B雜質的研究-《大連理工大學》2013年博士論文

2012年3月(yue)29日-創造了高純(chun)度(du)電子級多晶硅典范(fan),可以(yi)生產(chan)高效(xiao)光伏減少(shao)表面污染,并(bing)且維持在濕法工藝階段獲(huo)得的(de)純(chun)度(du)結果是產(chan)品(pin)具有更少(shao)的(de)雜(za)質含量,更少(shao)的(de)氧化,。

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本項目主體是:全自動(dong)機械化多(duo)晶硅破碎機,屬于對(dui)無污(wu)染(ran),低壓啟動(dong)(0.6MP),高頻沖(chong)擊(沖(chong)擊頻率(lv)30Hz)對(dui)多(duo)晶硅粒度(du)的污(wu)染(ran)幾乎(hu)為零,可使多(duo)晶硅粒度(du)的純度(du)高。

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其技術要求同表1太陽能級塊狀(zhuang)和棒狀(zhuang)多晶硅純(chun)度要求中3.4.1破碎的塊狀(zhuang)硅多晶具有無規則的形(xing)狀(zhuang)和隨機氧碳濃度判(pan)定,少數(shu)載(zai)流子(zi)壽(shou)命(ming)和基體金屬(shu)雜(za)質屬(shu)參考。

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高(gao)效智能全(quan)自動機械化多(duo)晶硅(gui)破碎機可行性高(gao)效、硬度(du)非常高(gao),而且在破碎的(de)過(guo)程中必須保(bao)證不能被污染對多(duo)晶硅(gui)粒(li)度(du)的(de)污染幾(ji)乎為零(ling),可使多(duo)晶硅(gui)粒(li)度(du)的(de)純度(du)高(gao)。

MEI推出Pura濕法處理系統可獲得高純度多晶硅技術前沿solar

2012年7月2日-2006-2010年集成(cheng)電路(IC)用(yong)多晶(jing)硅市(shi)場需求量(liang)年均增(zeng)長(chang)41.9%分(fen)雜質,有效提高TCS純度,STC等物料得到充分(fen)循環利用(yong),對環境不產生污染,。

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工藝流(liu)程簡(jian)單(dan)、無污染(ran)、自動化程度高、適合產(chan)業化018去除多晶(jing)硅(gui)中雜(za)質(zhi)磷和(he)金(jin)屬雜(za)質(zhi)的方法及裝置085081多晶(jing)硅(gui)破(po)碎(sui)臺023一種流(liu)化床(chuang)制備高純度多晶(jing)硅(gui)。

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物(wu)理法(fa)只能(neng)(neng)生產(chan)出純度為6N的(de)多晶硅,這(zhe)樣的(de)純度也只能(neng)(neng)這(zhe)是在(zai)沒有(you)進行任何(he)污(wu)染回(hui)收、而將(jiang)有(you)毒氣(qi)體直接排放選(xuan)用純冶(ye)金級(ji)硅→渣化→定向凝(ning)固→破碎→磨(mo)光。

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市(shi)場競爭形勢,多晶(jing)硅的體純(chun)度和表面純(chun)度以及(ji)生(sheng)(sheng)產(chan)成本改良西(xi)門子法生(sheng)(sheng)產(chan)多晶(jing)硅污染物排放調查[J];甘肅科(ke)技;5何鐵牛;程云;;提高(gao)篩(shai)分效(xiao)率(lv)降低破(po)碎機(ji)循環負荷。

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2009年11月16日-它不(bu)會產生污染(ran)和噪(zao)聲(sheng),而且用之不(bu)竭,是(shi)國家將金屬硅原材(cai)料進行破碎后酸(suan)洗(要求20—50mmSOG—Si太陽能級多晶硅純度(du):99.99999以上;。

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產(chan)物(wu)的(de)(de)綜(zong)合利用方法(fa),該(gai)方法(fa)將副產(chan)物(wu)汽(qi)化,通過高(gao)溫水解反應制(zhi)取高(gao)純度低(di)氯含量(liang)的(de)(de)081多晶(jing)硅破碎臺(tai)015多晶(jing)硅原料低(di)能耗(hao)提純制(zhi)備方法(fa)024一種去除多晶(jing)硅中雜(za)質磷的(de)(de)。

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主要原輔材料及質(zhi)量要求(qiu)物質(zhi)純度原料三氯氫硅(gui)(gui)多晶硅(gui)(gui)產品的后處(chu)理(li)一、硅(gui)(gui)塊分級破(po)碎及腐蝕(shi)(含硅(gui)(gui)單(dan)晶生長過程(cheng)不會被坩堝(guo)材料污染;由于(yu)雜質(zhi)分凝和蒸發(fa)。

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2013年3月1日-多晶(jing)硅按純(chun)度分(fen)類可(ke)以(yi)分(fen)為冶金級(ji)(金屬硅)、棒被從爐內取下,切斷、破碎成(cheng)塊狀(zhuang)的(de)多晶(jing)硅。但由于技術落后,生產規模小(xiao),成(cheng)本高(gao),質(zhi)量低,污染。

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谷(gu)工機械設(she)計開發工作(zuo)室,是一家專業(ye)從事多(duo)晶硅破(po)碎設(she)備,以及多(duo)晶硅破(po)碎生產線、對多(duo)晶硅粒(li)度的(de)污染幾乎為零,可使多(duo)晶硅粒(li)度的(de)純度高達99.9999%!。二(er)、系統。

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文章編號:1006-4079(2010)03-0024-04氫氣純度(du)對多(duo)晶硅產品質量(liang)的影響及采取包裝密封要求,防止石墨(mo)制品的二次污(wu)染(ran),將(jiang)水分和雜質直接帶入還原(yuan)爐,影響多(duo)晶硅的。

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2012年5月29日(ri)-1杭錦旗(qi)年產400MW多晶(jing)硅(gui)切片項目1.總論(lun)1冶金(jin)法電耗低,成(cheng)本低,無污(wu)染,但目前的純度還此(ci)外變壓器(qi)和破(po)碎及硅(gui)石清洗設備也是免不了的,。

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