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16高抑煙型阻燃(ran)劑納米氫氧化(hua)(hua)鎂(mei)的(de)制(zhi)備(bei)(bei)及(ji)表面處理新方(fang)法(fa)17管式熱法(fa)煉鎂(mei)生(sheng)產工藝及(ji)其設備(bei)(bei)18過氧化(hua)(hua)鎂(mei)的(de)制(zhi)備(bei)(bei)方(fang)法(fa)19活性氫氧化(hua)(hua)鎂(mei)的(de)調整方(fang)法(fa)20間(jian)接輕(qing)燒。
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本發明涉(she)及(ji)一(yi)種高溫超導(dao)材(cai)(cai)料氧化鎂(mei)單晶(jing)的生(sheng)產(chan)方(fang)法(fa)和制(zhi)備(bei)設備(bei),本發明的方(fang)法(fa)是通過(guo)以下(xia)步驟實現的:原料制(zhi)作(1):制(zhi)品處理(li)(2);通過(guo)在周(zhou)邊(bian)使(shi)用(yong)MGO96%以上重(zhong)質氧化鎂(mei)材(cai)(cai)料。
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2005年(nian)3月3日-二、單(dan)晶(jing)氧化鎂常規生長技術單(dan)晶(jing)氧化鎂一般是(shi)在(zai)大功率,三相電(dian)弧爐熔制,這種方法的優點:生產量大,設備結(jie)構簡單(dan)。缺點是(shi):由(you)于石墨電(dian)極在(zai)熔制過程中進入。
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47利用硼(peng)泥生產氧化鎂單晶(jing)的(de)方(fang)法(fa)48用TiO<sub;2</sub;超細粉焰熔法(fa)人工(gong)合成金紅(hong)石(shi)單晶(jing)的(de)方(fang)法(fa)和設備49一種制備金屬合金粉末的(de)方(fang)法(fa)50硼(peng)酸鉍晶(jing)體的(de)坩(gan)堝下(xia)降法(fa)。
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一種高溫超導材料(liao)氧(yang)化鎂單晶的(de)生產(chan)方法,其特征在(zai)于:是通過以下步驟實現的(de):原料(liao)制(zhi)作(zuo):礦石-。
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9、低(di)氧(yang)化(hua)鎂(mei)(mei)(mei)(mei)絕熱材料(liao)及(ji)其生(sheng)產方法10、低(di)氧(yang)化(hua)鎂(mei)(mei)(mei)(mei)鎂(mei)(mei)(mei)(mei)硅鐵產品(pin)的生(sheng)產工藝和設備1125、利(li)(li)用硼(peng)泥生(sheng)產氧(yang)化(hua)鎂(mei)(mei)(mei)(mei)單(dan)晶的方法26、利(li)(li)用余(yu)熱爐內焙(bei)燒(shao)礦(kuang)石制取電熔氧(yang)化(hua)鎂(mei)(mei)(mei)(mei)。
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2012年(nian)8月21日-注意(yi):本站開通貨(huo)到(dao)付(fu)款(kuan)業務!詳(xiang)情請(qing)登陸發財致富網查詢:地址:山東(dong)濟(ji)南科技(ji)市(shi)場628-10號(hao)電(dian)話:0531-手機咨詢1.由菱鎂(mei)(mei)礦聯合生產硫酸(suan)鎂(mei)(mei)、碳酸(suan)鎂(mei)(mei)。
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13、硅(gui)(gui)(gui)基納米(mi)粉(fen)生(sheng)(sheng)產(chan)線輸粉(fen),收(shou)粉(fen)設備(bei)14、硅(gui)(gui)(gui)片和生(sheng)(sheng)產(chan)單(dan)晶硅(gui)(gui)(gui)的方法(fa)15、硅(gui)(gui)(gui)微粉(fen)和鋯55200310123644.1用礦熱爐(lu)生(sheng)(sheng)產(chan)低氧化鎂稀土(tu)鈣鎂硅(gui)(gui)(gui)鐵合金的冶煉(lian)工(gong)藝(yi)56。
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2011年11月28日-同(tong)(tong)步逆(ni)位煅燒爐生產高活性氧化鎂張國臣,李(li)新平,張娟,韓艷(yan)敏(min)(1.焦作(zuo)市(shi)霧神化工機械有(you)限公(gong)司;2.焦作(zuo)市(shi)技師學院)摘要(yao)簡要(yao)介(jie)紹了同(tong)(tong)步逆(ni)位煅燒爐的原理。
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.0爐外預熱分(fen)解制(zhi)取(qu)電熔氧(yang)化(hua)鎂工藝及其設備1402107661.8氨全(quan)循環法(fa)(fa)生(sheng)產氫氧(yang)化(hua)鎂和氧(yang)化(hua)鎂114200680009667.1單(dan)晶(jing)氧(yang)化(hua)鎂及其制(zhi)造方法(fa)(fa)115。
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172利用硼泥(ni)生產氧化(hua)鎂(mei)單(dan)晶的方法251一種氧化(hua)鎂(mei)制備方法013一種制取改(gai)性氫080低氧化(hua)鎂(mei)鎂(mei)硅鐵產品(pin)的生產工(gong)藝和設備196真空煤(mei)炭熱還(huan)原(yuan)氧化(hua)鎂(mei)礦提取金(jin)屬鎂(mei)。
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一種利用硼泥生(sheng)產氧(yang)化鎂單晶的(de)方(fang)法,將硼泥經(jing)300-600℃輕燒處(chu)理后,以1∶10-20的(de)固液比(bi),液體為水,在壓力罐中混合,通入來自(zi)石灰(hui)窯的(de)二(er)氧(yang)化碳氣(qi),濃(nong)度為10-35%,。
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鈦(tai)酸(suan)鍶(si)單晶基片上外延生(sheng)長氧(yang)化鎂納米線的方法,涉及微電子材料領域,特(te)別涉及應用于氧(yang)化物(氧(yang)化鎂)-復合氧(yang)化物(鈦(tai)酸(suan)鍶(si))異質外延中(zhong)納米線及其表面周期(qi)結構的制備方法。
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商品名稱:氧化鎂單晶生產資料(圖(tu)文版)剩余時間(jian):開始時間(jian):2014-09-2117:03結束時間(jian):2014-10-0516:54保(bao)修:無保(bao)修發票(piao):無發票(piao)付(fu)款方式:。
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在單晶基(ji)板(ban)上形成第三(san)族氮化(hua)物外延(yan)層(ceng)方(fang)(fang)法、制品及設備0008)GaN單晶生(sheng)長方(fang)(fang)法、GaN商品名稱:基(ji)板(ban)單晶技術單晶氮化(hua)鎵(jia)單晶基(ji)板(ban)半導體氧(yang)化(hua)鎂生(sheng)產資料(liao)剩余時(shi)間:。
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006一種化(hua)(hua)學機(ji)械(xie)拋光單(dan)晶氧(yang)化(hua)(hua)鎂基(ji)片用的(de)拋光液(ye)[摘要]本技術一種化(hua)(hua)學機(ji)械(xie)拋光單(dan)晶氧(yang)化(hua)(hua)鎂基(ji)片用的(de)拋光液(ye),屬于化(hua)(hua)學機(ji)械(xie)拋光用的(de)拋光液(ye),特(te)別涉及化(hua)(hua)學機(ji)械(xie)拋光單(dan)晶。
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