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半導體制造用高純超細碳化硅粉末產品產業化項目通過驗收_業界動態

2007年6月(yue)21日(ri)-這一項目采(cai)用碳化硅單結晶(jing)加(jia)工物(wu)做為粉(fen)碎(sui)介質、應用水流粉(fen)碎(sui)機、粉(fen)碎(sui)工程內分級和酸(suan)堿洗凈(jing)技術,開發出了純度(du)高、雜質含量低的超(chao)細(xi)碳化硅微(wei)粒,并打入了。

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工業碳化(hua)硅因(yin)所含(han)(han)雜質的種類和含(han)(han)量不同,而呈(cheng)淺黃、綠、藍乃黑色,透明度隨其產(chan)品適用于制造碳化(hua)硅細(xi)粉(fen)和超細(xi)陶瓷級碳化(hua)硅粉(fen)料。Electro磨(mo)料公司Electro磨(mo)料。

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超細碳化硅微粉的制備及反應燒結碳化硅性能的研究-豆丁網

但是由于普(pu)通RBSC陶瓷的原料雜(za)質含(han)量(liang)高、粒徑分(fen)布寬(kuan)及成型工(gong)藝(yi)和燒(shao)結工(gong)藝(yi)的多(duo)樣化超細碳化硅微(wei)粉的制備及反應燒(shao)結碳化硅性(xing)能的研究文(wen)檔分(fen)類論(lun)文(wen)-。

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含量:99.9產品(pin)規格:1000nm產品(pin)包(bao)裝(zhuang):1kg/包(bao)且不會帶入(ru)雜質(zhi),是金剛石磨(mo)料(liao)的理(li)想替代品(pin);5、;;納米(mi)碳化(hua)硅,超細(xi)碳化(hua)硅,碳化(hua)硅相(xiang)關供應商(shang)。

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本(ben)發明涉及一種應(ying)用(yong)X射線熒(ying)光(guang)光(guang)譜法檢測碳(tan)化(hua)硅(gui)雜質(zhi)含量(liang)的方法,其步(bu)驟如下:1、制(zhi)備(bei)測試(shi)樣(yang)片;2、制(zhi)備(bei)標準(zhun)樣(yang)片:①提純(chun)(chun)碳(tan)化(hua)硅(gui)的制(zhi)樣(yang);②碳(tan)化(hua)硅(gui)提純(chun)(chun),制(zhi)備(bei)出純(chun)(chun)品(pin)碳(tan)化(hua)硅(gui);③。

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反應(ying)燒結超細(xi)SiC原位凝固/干壓成(cheng)型(xing)碳密度(du)顯微結構力學性能但(dan)是由于(yu)普通RBSC陶(tao)瓷的(de)原料雜質含量高、粒徑分布1尹長(chang)霞;超細(xi)碳化(hua)硅微粉的(de)制備及(ji)反應(ying)燒結碳化(hua)硅。

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納米(mi)(mi)(mi)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)供(gong)應信息<0.9%游(you)離硅(gui):<0.2%金屬雜(za)質含量(liang):400ppmD50:50-60nm比(bi)表面積:碳(tan)(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui),納米(mi)(mi)(mi)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui),微米(mi)(mi)(mi)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui),超細(xi)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui),納米(mi)(mi)(mi)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui),微米(mi)(mi)(mi)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)(hua)。

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納米碳化(hua)硅粉體(ST-C-001)納米碳化(hua)硅粉體碳化(hua)硅超細微粉(GCQL100)參數指標:純度(du):;99%,總(zong)含氧量(liang):<0.9%游離硅:<0.2%金屬雜質含量(liang):400。

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(編號:WND1109723-0059-0005)一種高純(chun)超細碳化硅*粉回收(shou)提純(chun)分級技術[技術摘要(編號:WND1109723-0068-0007)應用X射線熒光光譜法檢測碳化硅雜(za)質含量(liang)的方法(。

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2011年6月13日-提高(gao)產(chan)(chan)品(pin)(pin)質量,減少碳化(hua)硅(gui)產(chan)(chan)品(pin)(pin)中(zhong)的雜(za)質成份含量。提高(gao)碳化(hua)硅(gui)產(chan)(chan)品(pin)(pin)的純(chun)度、的晶(jing)體在破碎(sui)時(shi),因強度低,韌性差,受(shou)外力作(zuo)用首先被(bei)粉碎(sui)成粉狀(zhuang)顆(ke)粒或超細(xi)。

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2013年4月3日-有的工廠(chang)采(cai)用低(di)檔原料如(ru)鐵(tie)質砂、沉淀池(chi)和收(shou)塵裝置收(shou)集的碳(tan)化硅(gui)細(xi)粉來制造微粉,這(zhe)也是可行的方(fang)法,且可以(yi)降低(di)制造成本。但這(zhe)些原料雜質含量多,因而必(bi)須。

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某常壓燒結(jie)陶(tao)瓷(ci)級碳化硅(gui)微(wei)粉要求(qiu)原料平均(jun)粒(li)度D50〈0.8μm,對原料中雜(za)質(zhi)鐵、碳、硅(gui)的含量要求(qiu)較嚴格,通過選礦和化學處理(li)方法可(ke)使其雜(za)質(zhi)含量達(da)到標準(zhun)需(xu)求(qiu),超細磨(mo)前(qian)。

加強生產工藝管理提高碳化硅產品質量

6、重結晶碳化硅(gui)制(zhi)品專用(yong)(yong)碳化硅(gui)粒度(du)砂生產方(fang)法(fa)7、碳化硅(gui)超細微粉及其生產方(fang)法(fa)8、亞47、應用(yong)(yong)X射(she)線(xian)熒(ying)光(guang)光(guang)譜法(fa)檢測碳化硅(gui)雜(za)質含量(liang)的方(fang)法(fa)48、連續碳化硅(gui)纖維(wei)制(zhi)造用(yong)(yong)油劑(ji)。

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陶瓷級碳化硅微粉提純試驗研究-維普網-倉儲式在線作品出版

無法滿足(zu)這樣的(de)需要(yao),針對有需要(yao)有很廣(guang)大的(de)市場(chang)這個需求,我們的(de)張(zhang)總(zong)經理(li)帶(dai)領科技人才(cai)的(de)不斷的(de)創新(xin)(xin)和實踐中,克服了重重的(de)困(kun)難,終研制出了一(yi)種新(xin)(xin)型碳化硅超細微粉。

碳化硅生產技術配方工藝技術大全-圖書-工具書/百科全書-

2012年8月21日-841CN200810050205.5一(yi)種高純(chun)(chun)超細碳化硅微粉回收提純(chun)(chun)分級技術(shu)842CN990CN200910228151.1應用X射線熒光(guang)光(guang)譜法(fa)檢(jian)測碳化硅雜(za)質含量(liang)的方法(fa)991CN。

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結果表明,納米碳(tan)化(hua)硅粒子能(neng)在很(hen)低的含量(liang)下提高環氧樹脂耐磨(mo)性、并降低其摩擦(ca)系數(shu)336.劉玲,黃爭鳴,周燁欣,徐貴營(ying).超細纖維增強復合材料Ⅰ型(xing)層(ceng)間(jian)斷裂韌性。

新型碳化硅超細微粉磨機生產行業要提高技術含量_sanest9493-

出現熱分解溫度(du)降低在宏觀上可能(neng)是由于雜(za)質(zhi)在本體溶液中的依數性熱力學效應所導致。通過掃(sao)描(miao)電鏡分析發現,當納(na)米碳(tan)化硅SiC含量為1%時,晶(jing)胞尺(chi)寸增(zeng)大到了535μm,但(dan)有。

碳化硅生產工藝技術(3)550項-阿里巴巴創業資訊

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紀秋龍,章明秋,容敏智,wetzelb,friedrichk.納米碳化硅填充環氧樹脂

合成(cheng)碳化硅產品(pin)的(de)提純(chun)(chun)方面的(de)信(xin)息(xi),提純(chun)(chun)方法與提純(chun)(chun)結果等,特(te)別是對其中雜質鐵的(de)去除合成(cheng)的(de)超細粉(fen)β—SiC含量為(wei)88.07%(SiO_2轉(zhuan)化率為(wei)97.44%).期(qi)間分析了(le)煤矸石。

納米碳化硅粉末在聚合物中的應用-企業新聞-上海超威納米科技

金剛砂(sha)(金剛沙)純碳(tan)化硅(gui)(gui)(gui)是無色透明(ming)的(de)晶體。工(gong)業碳(tan)化硅(gui)(gui)(gui)因所含雜質的(de)種類(lei)和含量不(bu)同,而呈淺黃、綠(lv)、藍乃06-19批(pi)發零售碳(tan)化硅(gui)(gui)(gui)粉(fen)(價格優(you)惠(hui))碳(tan)化硅(gui)(gui)(gui)粉(fen)黑碳(tan)化硅(gui)(gui)(gui)。

碳化硅的主要用途_百度知道

2012年12月28日(ri)-碳化(hua)硅冶煉時的分解過(guo)程,實質(zhi)上是產(chan)品(pin)的凈(jing)(jing)化(hua)過(guo)程。分解過(guo)程次數越(yue)多,產(chan)品(pin)凈(jing)(jing)化(hua)程度充分,凈(jing)(jing)化(hua)程度越(yue)徹(che)底,終的產(chan)品(pin)越(yue)純凈(jing)(jing),產(chan)品(pin)中(zhong)雜質(zhi)含量越(yue)少,其韌性。

碳化硅的純度問題

其中,雜質少的(de)呈綠(lv)色(se)(se),雜質多(duo)的(de)呈黑(hei)色(se)(se)。2、化在高溫下發生(sheng)反(fan)應(ying),由此制備(bei)納米級(ji)的(de)β-碳(tan)化硅超(chao)細粉氧含量高低,通常(chang)C的(de)添加量與碳(tan)化硅粉料中的(de)氧含量。

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如(ru)碲化(hua)(hua)鉛(PbTe)、砷(shen)化(hua)(hua)銦(InAs)、硫化(hua)(hua)鉛(PbS)、碳化(hua)(hua)硅(SiC)等。與(yu)金屬材料不同,半(ban)導體中雜質含量(liang)和(he)外界條件的改變(如(ru)溫度(du)變化(hua)(hua)、受光照(zhao)射(she)等),都會使半(ban)導體的。

介紹有關碳化硅晶體中參雜的雜質|泰州市宏光金剛砂耐磨材料廠

純(chun)碳(tan)化(hua)硅是無色透(tou)明的(de)(de)晶體(ti)。工業碳(tan)化(hua)硅因(yin)所含雜質的(de)(de)種類和含量不同(tong)(tong),而呈淺黃、綠、藍乃黑色,透(tou)明度(du)(du)隨其(qi)純(chun)度(du)(du)不同(tong)(tong)而異。碳(tan)化(hua)硅晶體(ti)結(jie)構分為(wei)六方或(huo)菱面體(ti)的(de)(de)α-。

碳化硅陶瓷生產工藝-中國窯爐信息網

一種(zhong)碳化(hua)硅納米纖(xian)維(wei)的(de)制備方法(fa),它涉及(ji)一種(zhong)陶瓷纖(xian)維(wei)的(de)制備工藝(yi)。為了解決現有方法(fa)纖(xian)維(wei)的(de)雜質含量極低(di),纖(xian)維(wei)的(de)直徑在(zai)20~200nm之間,長(chang)度在(zai)幾個(ge)毫米之間,表面(mian)光滑(hua),。

碳化硅中一般都含有什么雜質?_已解決-阿里巴巴生意經

2013年(nian)3月19日-1041CN200810050205.5一種高純超細碳(tan)(tan)化(hua)硅微粉回收提純分級技術1042CN1190CN200910228151.1應用X射線熒(ying)光(guang)(guang)光(guang)(guang)譜法檢(jian)測碳(tan)(tan)化(hua)硅雜質含量的方法1191CN。

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碳化(hua)硅(gui)超細粉(fen)體的(de)制(zhi)備和流態化(hua)處(chu)理導(dao)出添加到引用通知分(fen)享到下載PDF閱讀雜質相分(fen)布等有決(jue)定性的(de)影響,從(cong)而直接影響著與這(zhe)些微(wei)結結構(gou)密(mi)切相關的(de)材料(liao)力(li)學。

一種碳化硅納米纖維的制備方法

濰坊(fang)凱華碳化硅(gui)微粉(fen)生產各種型號碳化硅(gui)微粉(fen),碳化硅(gui)超細微粉(fen),純度高、粒型好(hao)、更穩定,用于反應燒(shao)結、五壓燒(shao)結、硅(gui)碳棒新工藝、研磨拋、光(guang)防腐、涂腐、尾氣處理(DPF)。

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產(chan)品碳化硅微(wei)粉(fen)磨,超(chao)細粉(fen)碎機,氣流分(fen)號機,閃(shan)蒸干(gan)燥設(she)備,內分(fen)級超(chao)細磨,礦渣超(chao)細磨防敏感材(cai)料,使設(she)備磨損小(xiao)而產(chan)品純度(總(zong)雜質(zhi)含量小(xiao)于4ppm,含空(kong)氣帶入雜質(zhi)。

碳化硅超細粉體的制備和流態化處理

2010年5月26日-摘要:采用(yong)納(na)米碳化(hua)硅(nm-SiC)對氰(qing)酸酯樹脂(CE下抽真(zhen)空4h,除(chu)去吸附的水分(fen)及(ji)小分(fen)子雜質,密封納(na)米SiC:粒徑4060nm,灰(hui)綠色超細粉(fen)末,合肥。

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