金屬氧化物及碳化硅避雷器對陡波頭長波電流脈沖的響應-《電瓷
金(jin)屬氧(yang)化物碳化硅避雷器(qi)電(dian)力(li)電(dian)纜電(dian)壓響應過沖保護性能殘壓測試回路相(xiang)近似(si)電(dian)流脈沖。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光-豆丁網
2005脈沖激光退火納米碳化(hua)硅(gui)的光致(zhi)發(fa)光于威,何杰,孫(sun)運濤,韓(han)理,在電流(liu)激發(fa)方面存在較(jiao)大困難,因(yin)此對(dui)碳化(hua)硅(gui)發(fa)光材料的制(zhi)備及發(fa)光特性進行分析對(dui)。
脈沖電沉積納米鎳一碳化硅復合鍍層的性能_百度文庫
河北大學(xue)碩士學(xue)位(wei)論文納米(mi)碳(tan)化硅的脈沖激光燒蝕沉積及(ji)其光學(xue)特性研究(jiu)姓名:孫運濤(JFET,可達(da)到電流水平400mA/mm,電導的指(zhi)標lOOmS/mm)以及(ji)用(yong)6H—SiC制作的金(jin)屬。
納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究-碩士論文-道
2008年5月9日-1998年已有頻率(lv)(lv)1.3GHz,脈沖輸出功率(lv)(lv)400W的報道[;。2.2碳(tan)化(hua)硅(gui)功率(lv)(lv)雙(shuang)極(ji)與碳(tan)化(hua)硅(gui)功率(lv)(lv)MOS相比,對3000V以(yi)上的阻斷電壓,其通態電流密度可以(yi)高出幾個。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
[圖文]2007年5月28日-從(cong)而具有非常高的(de)浪涌電(dian)流承(cheng)受能(neng)(neng)力和穩定的(de)過壓(ya)中的(de)PFC級應(ying)用在瞬時脈沖(chong)和過壓(ya)狀態下具有更高利用具有獨特(te)性能(neng)(neng)的(de)碳化(hua)硅作為器(qi)件材料,能(neng)(neng)制造出。
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高頻脈(mo)沖電(dian)鍍Ni-Co-SiC耐(nai)(nai)蝕(shi)性(xing)耐(nai)(nai)磨(mo)性(xing)陽極(ji)極(ji)化(hua)結構研(yan)究了電(dian)源(yuan)頻率、占空比、陰極(ji)電(dian)流密度及鍍液中鈷1袁逖;高頻脈(mo)沖電(dian)沉積鎳鈷碳化(hua)硅鍍層耐(nai)(nai)蝕(shi)性(xing)耐(nai)(nai)磨(mo)。
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正采用60m長(chang)的(de)(de)(de)138kV電(dian)力電(dian)纜(lan)產(chan)生的(de)(de)(de)幾十(shi)萬伏、2萬安以上的(de)(de)(de)電(dian)流、波頭時間約50ns的(de)(de)(de)脈沖。被試品(pin)為9kV金屬氧化物(wu)及碳化硅(gui)避(bi)雷器。避(bi)雷器的(de)(de)(de)電(dian)壓響應包括陡的(de)(de)(de)過沖電(dian)壓。
碳化硅避雷器-學術百科-知網空間
2013年(nian)1月30日-美國陸軍研究人員正在向行業尋求開發進的碳化硅(SiC)半(ban)導體(ti)功率電(dian)子技術種高等(deng)級配置的高壓開關,脈沖電(dian)壓15000V,小電(dian)壓10000V,電(dian)流峰值(zhi)30A,。
美國陸軍尋求下一代碳化硅軍用高壓開關設備-中新網
采(cai)用XeCl準分子脈沖激光(guang)(guang)退火技術制備了納米晶態(tai)碳(tan)化(hua)硅薄膜(nc—SiC),并對薄膜的光(guang)(guang)致發光(guang)(guang)(PL)特性進行了分析。結(jie)果(guo)表明,納米SiC薄膜的光(guang)(guang)致發光(guang)(guang)表現為300-600nm.范圍。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光
[圖文]V為(wei)驅(qu)動(dong)(dong)脈(mo)沖電壓,驅(qu)動(dong)(dong)電流(liu)(liu)為(wei)脈(mo)沖電流(liu)(liu).V為(wei)驅(qu)動(dong)(dong)脈(mo)沖電壓,驅(qu)動(dong)(dong)電流(liu)(liu)為(wei)脈(mo)沖電流(liu)(liu).收藏此頁推薦給好(hao)友09-23[技術資訊]碳化(hua)硅在(zai)高溫(wen)范圍內具有低開關(guan)損耗的(de)MOSFE。
紅外發光二極管的直流脈沖電流驅動_電路圖-華強電子網
[圖文]這種(zhong)改進的過(guo)壓(ya)和浪涌(yong)電(dian)流能力可以使(shi)二(er)極(ji)管(guan)的壓(ya)力減(jian)小(xiao),使(shi)應用具有(you)(you)更高的可靠性。SiC肖(xiao)特基二(er)極(ji)管(guan)——適合各種(zhong)供(gong)電(dian)條件的解決方案利用具有(you)(you)獨特性能的碳化(hua)硅作為器件。
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論文天(tian)下(xia)提供的(de)<高(gao)頻(pin)脈(mo)沖電(dian)(dian)沉積(ji)鎳鈷碳(tan)化硅鍍層耐蝕性(xing)耐磨性(xing)的(de)研(yan)究;論文包括高(gao)頻(pin)脈(mo)沖電(dian)(dian)鍍Ni-Co-SiC耐蝕性(xing)耐磨性(xing)陽極極化結構等(deng)其他相關(guan)內容(rong)論文。
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2010年8月17日-0405SC-2200M碳化(hua)硅晶(jing)體管,射(she)頻峰(feng)值功率達2200瓦,可用于大功率超高頻脈沖系(xi)統的另一些(xie)優(you)點包括簡化(hua)阻抗匹(pi)配,125伏(fu)的操縱電(dian)壓,低電(dian)導電(dian)流,高峰(feng)值。
碳化硅脈沖
溫度脈沖方法制備碳/碳化硅(gui)復合(he)材(cai)料界面的微觀結(jie)構(gou)與性能研(yan)究袁明(ming)(ming),黃政仁,董(dong)紹(shao)明(ming)(ming),朱云洲(zhou),江(jiang)東亮中(zhong)國科(ke)學(xue)院上海(hai)硅(gui)酸鹽研(yan)究所,上海(hai)200050。
Microsemi公司推出用于大功率超高頻脈沖雷達的碳化硅晶體管_兵器
河北大學(xue)碩士(shi)學(xue)位論文納米碳(tan)化硅的脈沖激光(guang)(guang)燒蝕(shi)沉積及其光(guang)(guang)學(xue)特性(xing)研究姓名(ming):孫運濤申請學(xue)位級別:碩士(shi)專業:光(guang)(guang)學(xue)指導教師:于威20030101摘要本工作采用脈沖激光(guang)(guang)。
溫度脈沖方法制備碳/碳化硅復合材料界面的微觀結構與性能研究
2013年1月30日-美國陸軍研究人(ren)員正在向行業尋求開發(fa)進的碳化硅(SiC)半導體功率電(dian)子(zi)技術種高等級(ji)配置的高壓(ya)開關(guan),脈(mo)沖電(dian)壓(ya)15000V,小電(dian)壓(ya)10000V,電(dian)流峰值30A,。
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[圖(tu)文]從而具(ju)有(you)非常高的(de)(de)浪涌電流承受能力和穩定的(de)(de)過壓(ya)特(te)性(xing)。網中(zhong)的(de)(de)PFC級應用(yong)在瞬時脈(mo)沖和過壓(ya)狀態下具(ju)有(you)更高的(de)(de)利用(yong)具(ju)有(you)獨特(te)性(xing)能的(de)(de)碳化硅作為器件材料,能制(zhi)造出(chu)接近。
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[圖文]GaN器件包(bao)含五項重要特征:高介電(dian)強度、高工作(zuo)溫度、大電(dian)流密度、高開(kai)關速度,如何在高效脈沖跳頻(pin)模式下選擇輸出濾(lv)波(1)智能電(dian)視前進路上的三(san)座。
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[圖文]2012年(nian)4月16日-既能滿足電子(zi)模塊(kuai)的(de)(de)正常工(gong)作電流(liu)(圖1中的(de)(de)If),也能承(cheng)受(shou)ISO7637-2脈(mo)沖(chong)[新品快訊]美(mei)高森美(mei)推(tui)出碳化硅(SiC)材料(liao)和技術(shu)的(de)(de)全新1200V肖特基二極(ji)管。
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[圖文]標簽:600509石墨烯(xi)碳化(hua)硅背景(jing)資料(liao)老(lao)孟(meng)股(gu)票具有電(dian)荷這種(zhong)性質(zhi),電(dian)荷的傳導能夠形成電(dian)流并成為電(dian)子采用脈沖(chong)電(dian)子輻照技術在(zai)SiC基底上外(wai)延石墨烯(xi)是我們。
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二:電流互感器保(bao)護用于(yu)保(bao)護電流互感器即(ji)CTPU.典型應(ying)用于(yu)互感器二次過壓保(bao)護,此(ci)類電阻片的(de)(de)靈(ling)活性(xing)使(shi)其得到廣范應(ying)用,可用于(yu)熒光(guang)燈的(de)(de)尖(jian)峰脈沖(chong)抑制(直徑為(wei)26mm的(de)(de)。
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(3)從損(sun)壞的(de)(de)(de)避(bi)雷器(qi)(qi)閥片來看,這(zhe)些(xie)避(bi)雷器(qi)(qi)的(de)(de)(de)閥片所(suo)用(yong)的(de)(de)(de)碳化(hua)硅比(bi)較松散,多半是這(zhe)根電(dian)線(xian)有脈沖電(dian)流渡過,這(zhe)時,測(ce)定在配電(dian)線(xian)路的(de)(de)(de)導(dao)體上感(gan)應(ying)的(de)(de)(de)電(dian)壓波(bo)形。相應(ying)的(de)(de)(de)。
600509:石墨烯碳化硅項目的背景資料_孟利寧_新浪博客
2013年8月21日-尤(you)其是碳化(hua)硅(gui)微粉磨的生產加工(gong)中(zhong),粉塵(chen)外泄問題為(wei)(wei)嚴(yan)重,上海卓亞礦(kuang)山機械有限公司研究者為(wei)(wei)其進行相應的分析(xi)與設備的改(gai)造(zao)實驗(yan),終得出使用(yong)脈(mo)沖(chong)除(chu)塵(chen)器的。
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[圖文(wen)]2011年8月4日-現在(zai)還(huan)有許多公司在(zai)用不同(tong)的基(ji)底(如藍(lan)寶石和碳化硅)生產(chan)GaNLED,這些LED該電路(lu)的基(ji)本(ben)功能是產(chan)生低頻、快(kuai)速、大功率驅動電流脈(mo)沖信號,輸出(chu)脈(mo)沖的。
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2013年7月22日-1998年已有頻率(lv)1.3GHz,脈(mo)沖輸出功(gong)(gong)率(lv)400W的(de)報道[;。2.2碳化(hua)硅(gui)功(gong)(gong)率(lv)雙極(ji)開發(fa)碳化(hua)硅(gui)BJT的(de)主要問(wen)題是提高電流增益(yi)。早期6H-SiCBJT的(de)電流增益(yi)只有10。
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脈沖袋(dai)式(shi)除塵器,分號機,粉(fen)碎(sui)機,氣(qi)流磨,青島精華PZ粉(fen)碎(sui)機的(de)用(yong)(yong)途及適(shi)(shi)應范(fan)圍:化(hua)工等(deng)物科的(de)粉(fen)碎(sui),尤其適(shi)(shi)用(yong)(yong)于(yu)碳化(hua)硅、剛玉(yu)、石(shi)(shi)英、烙煉石(shi)(shi)英、石(shi)(shi)餾石(shi)(shi)等(deng)物科的(de)粉(fen)碎(sui)。
詳解大功率藍光LED光源驅動電路設計方案-中國LED網資訊
碳化硅顆粒(li)化學(xue)鍍鎳(nie)對(dui)鐵基復合(he)材料(liao)性(xing)能的(de)影響張躍波1,宗(zong)亞平1,曹新建1,張龍(long)21.東北大學(xue)材料(liao)各向異性(xing)與織構教育部(bu)實驗(yan)室沈陽1108192.金策工業(ye)綜合(he)。