
碳化硅粉末中雜質元素的測定-《上海金屬.有色分冊》1992年05期
陶瓷材料等離子發射光譜法微量(liang)雜質元素(su)測定微電子工業發動機(ji)雜質分(fen)析高溫技術聚變裝置微量(liang)元素(su)。
碳化硅微粉中的雜質太多怎么處理_百度知道
如(ru)碲化(hua)(hua)鉛(PbTe)、砷化(hua)(hua)銦(InAs)、硫化(hua)(hua)鉛(PbS)、碳化(hua)(hua)硅(SiC)等(deng)。與金屬材料不(bu)同,半導(dao)體中雜質含(han)量和外界條件的改變(如(ru)溫度變化(hua)(hua)、受(shou)光照(zhao)射等(deng)),都會使半導(dao)體的。
碳化硅_百度百科
怎樣(yang)去除碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅制品中的(de)(de)雜(za)質沒(mei)有(you)任何一件(jian)事(shi)物是(shi)沒(mei)有(you)雜(za)質的(de)(de),即便是(shi)很多(duo)化(hua)(hua)學原料(liao)或(huo)者經過多(duo)重步驟產(chan)生的(de)(de)高(gao)科(ke)技產(chan)品,所以,目前(qian)市場上出現的(de)(de)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅產(chan)品也有(you)很多(duo)雜(za)質。但是(shi)。
碳化硅中一般都含有什么雜質?_已解決-阿里巴巴生意經
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怎樣去除碳化硅制品中的雜質-新聞動態-淄博中晶碳素有限公司
本發明涉(she)及一種(zhong)應用X射線熒光光譜法(fa)檢測碳(tan)化硅雜(za)質含量的方法(fa),其(qi)步驟(zou)如(ru)下:1、制(zhi)(zhi)備測試樣(yang)片;2、制(zhi)(zhi)備標準樣(yang)片:①提純(chun)碳(tan)化硅的制(zhi)(zhi)樣(yang);②碳(tan)化硅提純(chun),制(zhi)(zhi)備出純(chun)品碳(tan)化硅;③。
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現在的(de)原(yuan)料主要成分是硅和碳化硅的(de)混合物,里面含有少量(liang)鐵雜質,怎樣(yang)除去(qu)鐵,請各位賜(si)教,謝謝。
應用X射線熒光光譜法檢測碳化硅雜質含量的方法-查詢下載-中國
2012年12月28日-碳化(hua)硅晶體中(zhong)的雜質是(shi):鐵、鋁、鈣、鎂(mei)、硅等(deng)的氧化(hua)物(wu)和碳化(hua)物(wu),以及它們(men)的共熔物(wu)。這些雜質在冶煉爐熱(re)動力條件下,溫度在2100——2200℃時被蒸發排。
如何去除硅和碳化硅的混合物中的少量鐵雜質-非金屬-小木蟲-
[24]β-碳(tan)化(hua)硅因其相較α-碳(tan)化(hua)硅擁有更高的(de)比(bi)表面積,所以可用于非均相催化(hua)劑的(de)負載體。純的(de)碳(tan)化(hua)硅是無色(se)的(de),工業用碳(tan)化(hua)硅由于含有鐵等(deng)雜(za)質而呈現棕色(se)黑(hei)色(se)晶體。
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開始時間:結束時間:雜質碳(tan)(tan)加工工藝-催化劑,二氧化碳(tan)(tan),碳(tan)(tan)化硅,X射(she)線(xian),生產碳(tan)(tan)化硅版的出價/購(gou)買記錄(lu)Top一(yi)口價:元(yuan)該物品已下(xia)架立即購(gou)買。
碳化硅-維基百科,自由的百科全書
導熱(re)率(lv)(lv):碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)制品的導熱(re)率(lv)(lv)非常(chang)(chang)非常(chang)(chang)高(gao),熱(re)膨(peng)脹參數(shu)小(xiao)巧,抗熱(re)震性非常(chang)(chang)非常(chang)(chang)高(gao),是優質的耐火材料。3、電學屬性恒溫下工業碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)是一(yi)種半導體,屬雜質導電性。高(gao)純度(du)。
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碳化硅雜質對石墨加熱棒溫度場的影響數值模擬研究_百度文庫
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碳化硅的特性和根本機能
碳化硅(gui)中(zhong)(zhong)雜質的(de)(de)形(xing)態-碳化硅(gui)中(zhong)(zhong)雜質的(de)(de)形(xing)態碳化硅(gui)的(de)(de)研發成功并很好(hao)的(de)(de)利(li)用是市場發展(zhan)過程中(zhong)(zhong)的(de)(de)一大進步點,特別是對于(yu)1893年(nian)艾奇遜的(de)(de)發明(ming)為引(yin)子,由此推出的(de)(de)國內由趙廣和。
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2011年6月(yue)14日-碳(tan)化(hua)(hua)硅在(zai)現(xian)代工業生產(chan)中的(de)應用范圍比較(jiao)廣泛,比較(jiao)為人們所了(le)解的(de)是(shi)應用于磨(mo)(mo)料、磨(mo)(mo)具(ju)領域。但是(shi)隨著科學技術的(de)進(jin)步,人們對碳(tan)化(hua)(hua)硅的(de)認識也逐(zhu)漸深入,由此(ci)開發。
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碳(tan)化硅(gui)(SiC)是(shi)用石英砂、石油焦(jiao)(jiao)(或煤焦(jiao)(jiao))、木屑(xie)為原料通過電阻爐(lu)高溫冶煉而成。碳(tan)化硅(gui)在大(da)自然也存在罕見的礦物,莫桑石。碳(tan)化硅(gui)又稱<a。
二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-碩士論文-道客巴巴
碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui);物理性(xing)質(zhi)性(xing)狀(zhuang):綠色藍黑色結(jie)晶(jing)性(xing)粉(fen)末.含雜質(zhi)的碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)為綠色,固性(xing)狀(zhuang):綠色藍黑色結(jie)晶(jing)性(xing)粉(fen)末.含雜質(zhi)的碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)為綠色,固溶有炭和金(jin)屬氧化(hua)物雜質(zhi)呈黑色。密。
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論文(wen)天下(xia)提(ti)供的(de)(de)<二(er)次(ci)離子(zi)(zi)質譜(pu)分析(xi)(xi)碳化硅中釩(fan)雜質含(han)量的(de)(de)研究;論文(wen)包括碳化硅二(er)次(ci)離子(zi)(zi)質譜(pu)釩(fan)摻雜定量分析(xi)(xi)二(er)次(ci)離子(zi)(zi)質譜(pu)分析(xi)(xi)離子(zi)(zi)注入(ru)樣品等其他(ta)相(xiang)關內容論文(wen)。
jinshinaicai-和訊財經微博-碳化硅中雜質的形態-碳化硅中..
2013年4月(yue)24日(ri)-碳化硅俗稱金剛(gang)石,又稱碳硅石,主要(yao)用作耐(nai)磨材料,耐(nai)火材料,核反應堆(dui)材料及(ji)制造電阻發熱硅碳棒(管(guan)),半(ban)導體元(yuan)件(jian),C二級管(guan),晶體管(guan),電器元(yuan)件(jian),火箭噴管(guan)等(deng)。
加強生產工藝管理提高碳化硅產品質量——寧夏天凈集團碳化硅
產業(ye)領域:新(xin)能源光伏需求(qiu)類型:技術(shu)服務需求(qiu)編號:189-07制粉(fen)是(shi)碳化(hua)硅微粉(fen)生產中(zhong)的重要(yao)工(gong)序(xu),但由(you)于(yu)碳化(hua)硅的硬(ying)度較(jiao)高,其(qi)莫氏硬(ying)度為9.5級,在莫氏硬(ying)度標準中(zhong)僅低于(yu)金剛石。
碳化硅-搜搜百科
本(ben)文采用ICP-MS法(fa)對高純碳(tan)化(hua)硅粉(fen)表面的Na、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd12種痕量雜質進行測定,用氫氟酸(suan)溶液浸提試(shi)樣表面雜質,用釔做內標補償。
碳化硅|化合物-查字典
一種(zhong)無TiC雜(za)質(zhi)相的碳化(hua)硅鈦(tai)陶瓷粉體的合成(cheng)(cheng)方法(fa),其特征(zheng)在于(yu):(1)以(yi)Ti粉、Si粉和TiC本(ben)(ben)發明公(gong)開了一種(zhong)低成(cheng)(cheng)本(ben)(ben)無TiC雜(za)質(zhi)相的碳化(hua)硅鈦(tai)陶瓷粉體的常(chang)壓合成(cheng)(cheng)方法(fa),。
二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-收費碩士博士論文-
臨沂(yi)市金蒙碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)有限(xian)公司是一家擁有國內先進的碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)微粉,黑碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui),綠碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui),綠碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)微粉,黑碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)微粉,碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)粒度砂,生(sheng)產線(xian)和工藝(yi)技術(shu),服務熱線(xian):400-6291-618。
碳化硅成分及性質_行業新聞_濟源防腐耐磨材料有限公司
2008年5月9日-碳化(hua)硅電(dian)(dian)力(li)電(dian)(dian)子器件研發(fa)進展(zhan)與存(cun)在(zai)問題(ti),1引言(yan)借助(zhu)于微電(dian)(dian)子技術(shu)的(de)長(chang)足發(fa)展(zhan),以硅器件為(wei)基(ji)礎(chu)的(de)電(dian)(dian)力(li)電(dian)(dian)子技術(shu)因大功率場效應晶體(ti)管(功率MOS)和絕緣柵雙極晶體(ti)。
要除去碳化硅中的含鐵的雜質和氧化鋁膠體及游離碳,需要進行酸
1、游離硅。它一部(bu)分溶解于(yu)SiC晶體中,一部(bu)分與其雜(za)質(如鐵、鋁、鈣等)形成合金而粘附于(yu)晶體上或嵌在晶體中。2、游離二氧化硅。通常存在于(yu)晶體表面(mian)。大都是由于(yu)。
請教一下有關碳化硅的一些問題_化學吧_百度貼吧
對(dui)SiC中基態施主能級分裂(lie)對(dui)雜質電離的(de)(de)影響(xiang),與溫(wen)(wen)度(du)(du)、摻雜濃(nong)度(du)(du)和雜質能級深度(du)(du)的(de)(de)關系進行了(le)系統(tong)研究。發(fa)現只有(you)在(zai)高溫(wen)(wen)且摻雜濃(nong)度(du)(du)低的(de)(de)情況下,能級分裂(lie)的(de)(de)影響(xiang)很小可忽略不計。
(189-07,新能源光伏,技術服務)碳化硅微粉中鐵雜質清除裝置及方法
氮化(hua)硅(gui)結合(he)碳化(hua)硅(gui)材(cai)料反應燒(shao)結時(shi)的雜質相行為分析(xi),郝小勇;-陶瓷工程1998年第03期在線閱讀、文章下載。<正;l前言Si3N4結合(he)SIC材(cai)料的研究近年來在國內發展較快(kuai),該。
ICP-MS法測定高純碳化硅粉表面的痕量雜質Determinationoftrace
分析(xi)了(le)Si3N4結(jie)(jie)合(he)Si3C材(cai)料反應燒(shao)結(jie)(jie)時Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜(za)質相的(de)反應行為。氮化(hua)硅結(jie)(jie)合(he)碳化(hua)硅材(cai)料反應燒(shao)結(jie)(jie)時的(de)雜(za)質相行為分析(xi)前言(yan):分析(xi)了(le)Si3N4結(jie)(jie)合(he)Si3C材(cai)料。
碳化硅陶瓷工藝流程解析-新聞-九正建材網(中國建材網)
[圖文]目前(qian),國(guo)內使用的切割液和(he)碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)(gui)微粉在線(xian)切割過程中,砂漿中不可避免(mian)的會混(hun)入硅(gui)(gui)粉、鐵、高聚物等雜(za)質,部分碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)(gui)微粉也會因(yin)切割作用而出現破(po)損,產生的廢砂漿很難(nan)繼續。
一種無TiC雜質相的碳化硅鈦陶瓷粉體的合成方法-200710118878-錢眼
氮化(hua)硅結合碳化(hua)硅材(cai)料反(fan)應(ying)燒(shao)(shao)結時的雜(za)質相行為分析(xi)-分析(xi)了(le)Si3N4結合Si3C材(cai)料反(fan)應(ying)燒(shao)(shao)結時Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等(deng)雜(za)質相的反(fan)應(ying)行為。
黑碳化硅,綠碳化硅,綠碳化硅微粉,黑碳化硅微粉,碳化硅粒度砂|臨沂
碳化硅質泡(pao)沫(mo)陶瓷(ci)過濾(lv)(lv)片,去(qu)孔,濾(lv)(lv)渣,吸附雜質泡(pao)沫(mo)陶瓷(ci)過濾(lv)(lv)片簡介泡(pao)沫(mo)陶瓷(ci)過濾(lv)(lv)器(qi)的過濾(lv)(lv)機理:整流作用(yong):在澆鑄系統中放置泡(pao)沫(mo)陶瓷(ci)過濾(lv)(lv)片后(hou),金屬液流阻力增大,。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
淄博(bo)鑄泰碳(tan)素有限(xian)公司碳(tan)化(hua)(hua)硅簡(jian)介:碳(tan)化(hua)(hua)硅英文名稱:siliconcarbide,俗稱金剛(gang)砂。純(chun)碳(tan)化(hua)(hua)硅是無(wu)色透(tou)明的晶體。工業碳(tan)化(hua)(hua)硅因所(suo)含雜質的種(zhong)類(lei)和含量不同,而呈淺(qian)黃、綠(lv)、藍(lan)。